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一种单晶生长用半导体石墨热场

基本信息

申请号 CN202120171881.9 申请日 -
公开（公告）号 CN214300461U 公开（公告）日 2021-09-28
申请公布号 CN214300461U 申请公布日 2021-09-28
分类号 C30B15/14（2006.01）I;C30B15/10（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 尹朝洁 申请（专利权）人 安徽弘朗炭科技有限公司
代理机构 沧州市宏科专利代理事务所（普通合伙） 代理人 喻慧玲
地址 242081安徽省宣城市宣州区工业园区
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及石墨热场的技术领域，特别是涉及一种单晶生长用半导体石墨热场，其提高清理的便利性，节省人力和时间，提高效率；包括底座、四组支腿、石墨热场下部、石墨热场上部、保温加热箱、坩埚、籽晶、两组固定架、两组丝杠和两组直角转向器，底座底端和四组支腿顶端固定连接，石墨热场下部固定安装在底座顶端，石墨热场上部底端和石墨热场下部顶端可卡装，保温加热箱固定安装在石墨热场下部内，坩埚底端设有坩埚座，坩埚座固定安装在保温加热箱内，坩埚顶端设有单晶棒，石墨热场上部顶端设有连接腔，籽晶位于连接腔内，单晶棒顶端活动穿过石墨热场上部顶端并与籽晶底端固定连接，两组固定架分别固定安装在石墨热场上部的左右两侧。