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一种提高发光二极管出光效率的方法

基本信息

申请号 CN201410255491.4 申请日 -
公开（公告）号 CN104037273A 公开（公告）日 2014-09-10
申请公布号 CN104037273A 申请公布日 2014-09-10
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 廉鹏 申请（专利权）人 北京太时芯光科技有限公司
代理机构 北京联瑞联丰知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 北京太时芯光科技有限公司
地址 100176 北京市大兴区经济技术开发区地泽北街一号一层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出了一种提高发光二极管出光效率的方法，包含以下步骤：第一次外延生长在衬底上自下而上依次形成缓冲层、布拉格反射器、下包覆层、发光层和上包覆层；在上包覆层上进行ICP干法刻蚀形成局部掺杂突变区；第二次外延生长形成外延窗口层；减薄衬底，蒸镀Au/BeAu/Au和GeAu/Au，将半切所得结构放入通有湿氧或者湿氮的氧化炉中氧化布拉格反射器形成布拉格反射器氧化区；通过切割方式形成独立芯片。本发明通过在电极下方通过外延手段制作局部掺杂突变区，减少载流子在电极正下方复合，同时结合氧化布拉格反射器外围区域，使发光二极管的出光效率得到了有效提高。