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一种四元发光二极管

基本信息

申请号 CN201120146903.2 申请日 -
公开（公告）号 CN202308026U 公开（公告）日 2012-07-04
申请公布号 CN202308026U 申请公布日 2012-07-04
分类号 H01L33/02(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 黄光辉;陈志潮;董耀尽;王骏;时伟;张敬伟 申请（专利权）人 北京太时芯光科技有限公司
代理机构 北京思海天达知识产权代理有限公司 代理人 北京太时芯光科技有限公司
地址 100176 北京市大兴区北京经济开发区地泽北街1号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种四元发光二极管，涉及一种半导体发光二极管及制作方法，属于半导体光电子技术领域。其包括自下而上的衬底1、缓冲层2、布拉格反射器3、下包覆层4、活性层5、上包覆层6，其在上包覆层6与电极相对的位置制作有电流阻挡层7，在电流阻挡层7的表面生长有外延窗口层8，电流阻挡层上安装有电极9；所述的布拉格反射器3为反射系数较含铝层高的含氧化铝层。本实用新型在外延层表面制作与电极对应的电流阻挡区域，减少亮度损失，同时结合湿氧化工艺优化外延层材料性质，大幅度提高出光效率，从而得到一种优化结构的复合增亮的发光二极管。