一种四元发光二极管
基本信息
| 申请号 | CN201420308163.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203932092U | 公开（公告）日 | 2014-11-05 |
| 申请公布号 | CN203932092U | 申请公布日 | 2014-11-05 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杜晓东 | 申请（专利权）人 | 北京太时芯光科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 北京太时芯光科技有限公司;马鞍山太时芯光科技有限公司 |
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区地泽北街一号一层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提出了一种四元发光二极管，自下而上依次包括衬底、缓冲层、布拉格反射器、下包覆层、发光层、上包覆层、局部掺杂突变区、外延窗口层、上电极和下电极，局部掺杂突变区位于上电极的正下方，在衬底上通过第一次外延生长依次形成缓冲层、布拉格反射器、下包覆层、发光层和上包覆层，通过第二次外延生长形成外延窗口层。本实用新型通过结构优化，不仅是在电极下方通过外延手段制作的局部掺杂突变区，减少载流子在电极正下方复合，同时结合氧化布拉格反射器外围区域，使发光二极管的出光效率得到了有效提高。 |
