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一种提高发光器件芯片出光效率的方法

基本信息

申请号 CN201410049596.4 申请日 -
公开（公告）号 CN103811599A 公开（公告）日 2014-05-21
申请公布号 CN103811599A 申请公布日 2014-05-21
分类号 H01L33/00(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 廉鹏;杜晓东;李春伟 申请（专利权）人 北京太时芯光科技有限公司
代理机构 北京联瑞联丰知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 北京太时芯光科技有限公司
地址 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区地泽北街一号一层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出了一种提高发光器件芯片出光效率的方法，包括如下步骤：GaAs衬底依次外延生长预置转换层、外延层N区、有源区和外延层P区；利用腐蚀液腐蚀预置转换层，通过机械牵引的方式整体分离外延层N区、有源区和外延层P区；将整体分离后获得的外延层N区经过表面处理步骤之后，通过第二键合介质结合透明衬底；经过光刻、蒸镀和剥离三个操作，或经过蒸镀、光刻和刻蚀分别在外延层N区和外延层P区形成N面电极和P面电极。本发明的GaAs衬底的晶格结构能够满足外延生长的需要，又能够转换为透明衬底提高芯片的整体出光效率；同时GaAs衬底可以重复利用，降低生产成本，使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。