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一种无砷化制造发光器件芯片的方法

基本信息

申请号 CN201410049588.X 申请日 -
公开（公告）号 CN103811616A 公开（公告）日 2014-05-21
申请公布号 CN103811616A 申请公布日 2014-05-21
分类号 H01L33/30(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 廉鹏;杜晓东;李春伟 申请（专利权）人 北京太时芯光科技有限公司
代理机构 北京联瑞联丰知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 郑自群
地址 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区地泽北街一号一层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出了一种无砷化制造发光器件芯片的方法，包括如下步骤：生长衬底依次外延生长预置转换层、外延层N区、有源区和外延层P区；利用腐蚀液腐蚀预置转换层，通过机械牵引的方式整体分离外延层N区、有源区和外延层P区；将整体分离后获得的外延层N区经过表面处理步骤之后，通过第二键合介质结合功能衬底；经过光刻、蒸镀和剥离，或经过蒸镀、光刻和刻蚀分别在外延层N区和外延层P区形成N面电极和P面电极。本发明的生长衬底的As不会带入发光器件制备的后续工艺流程，降低工业废水的污染治理成本，同时生长衬底可以重复利用，降低生产成本，使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。