一种发光器件芯片及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201410049590.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103811604A | 公开（公告）日 | 2014-05-21 |
| 申请公布号 | CN103811604A | 申请公布日 | 2014-05-21 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廉鹏 | 申请（专利权）人 | 北京太时芯光科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 北京太时芯光科技有限公司 |
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区地泽北街一号一层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种发光器件芯片及其制造方法，其中一种发光器件芯片包括：自下而上依次为透明衬底、外延层N区、N面电极、有源区、外延层P区和P面电极，所述透明衬底通过第二键合介质与所述外延层N层结合，所述透明衬底通过生长衬底的转换方式形成。本发明的生长衬底的As不会带入发光器件制备的后续工艺流程，降低工业废水的污染治理成本；透明衬底对光没有吸收性，能够降低发光损耗，增加发光器件芯片的整体出光效率；同时生长衬底可以重复利用，降低生产成本，使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。 |
