一种提高发光二极管芯片可焊性的方法
基本信息
| 申请号 | CN201410256865.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104037289B | 公开（公告）日 | 2017-03-08 |
| 申请公布号 | CN104037289B | 申请公布日 | 2017-03-08 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廉鹏 | 申请（专利权）人 | 北京太时芯光科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郑自群 |
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区地泽北街一号一层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种提高发光二极管芯片可焊性的方法，包含以下步骤：第一次外延生长在衬底上自下而上依次形成缓冲层、布拉格反射器、下包覆层、发光层和上包覆层；在上包覆层上进行ICP干法刻蚀形成局部掺杂突变区；第二次外延生长形成外延窗口层；蒸镀Au/BeAu/Au和GeAu/Au，通过切割方式形成独立芯片。本发明在电极下方通过外延手段制作的局部掺杂突变区，减少载流子在电极正下方复合，同时结合氧化布拉格反射器外围区域，使发光二极管芯片的可焊性得到了有效提高。 |
