一种高矫顽力钕铁硼磁体的晶界扩散方法
基本信息
| 申请号 | CN202110775712.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113593880A | 公开（公告）日 | 2021-11-02 |
| 申请公布号 | CN113593880A | 申请公布日 | 2021-11-02 |
| 分类号 | H01F41/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李斌;韩幸奇;童正钟;尤晨晨;何进 | 申请（专利权）人 | 安徽万磁电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 合肥正则元起专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 匡立岭 |
| 地址 | 230000安徽省合肥市庐江县石头镇工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高矫顽力钕铁硼磁体的晶界扩散方法，属于稀土永磁材料技术领域，该晶界扩散方法包括如下步骤：步骤一：由重稀土化合物粉末、纳米非稀土金属粉、有机溶剂、偶联剂以及匀质剂制成悬浊液；步骤二：对钕铁硼磁体表面进行处理；步骤三：加温喷涂；步骤四：烧结；本发明使用晶界扩散工艺，显著提高了磁体的矫顽力，同时磁体的剩磁无明显下降，提高了重稀土的利用率，节约大量的重稀土资源，本发明使用重稀土元素‑非稀土金属晶界扩散方法可以使晶界扩散效果更好，矫顽力提升更为明显，磁体的抗老化能力更强，对高性能钕铁硼的生产具有重大意义。 |
