一种深槽超结MOSFET功率器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111018751.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113838937A | 公开（公告）日 | 2021-12-24 |
| 申请公布号 | CN113838937A | 申请公布日 | 2021-12-24 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王钦;李海松;陈飞鹭;易扬波 | 申请（专利权）人 | 无锡芯朋微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 姚姣阳 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市无锡新区龙山路4号C幢1301-1304 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明揭示了一种深槽超结MOSFET功率器件，包括由下至上按序依次设置的漏极电极、衬底、外延层、体区、源区、栅极结构以及源极电极，外延层中刻蚀形成有多个沟槽，多个沟槽间互不连通且均沿垂直方向设置，沟槽的侧壁与水平面间的夹角范围为80°~90°，沟槽的底端宽度不大于其上端宽度；每个沟槽内均填充有至少两层填充层，多个沟槽内填充层的数量相同且每层填充层的上端面高度保持一致，单个沟槽内填充层的掺杂浓度由下至上递减。本发明在保证器件外延层掺杂浓度不变的情况下对其结构进行了优化，不再要求生长出掺杂浓度呈线性变化的外延层，不仅降低了工艺难度，而且节约了生产成本、缩短了加工时间。 |
