一种高压型复合器件
基本信息
| 申请号 | CN202111410324.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203692A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203692A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L27/07（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨帆;魏小康;肖逸凡;李海松;易扬波 | 申请（专利权）人 | 无锡芯朋微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 姚姣阳 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市无锡新区龙山路4号C幢1301-1304 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明揭示了一种高压型复合器件，在高压JFET器件衬底内设置有高压JFET漏极耐压漂移区及高压JFET源极区，还包括高压JFET漏极有源区、高压JFET源极有源区；二极管结构设置于高压JFET漏极有源区上方、由第一多晶层及第二多晶层构成，多晶层间以PN结相连接；在高压JFET漏极有源区与二极管结构之间设置有一层栅氧化物，高压JFET漏极耐压漂移区的上方还设置一层场氧化物，场氧化物的上端面设置有高压JFET栅极。本发明基于目前常用的高压JEFT加工工艺，在不增加额外的器件面积及工艺层次的基础上实现了对包含高压JFET和稳流二极管的复合器件的制备。 |
