一种高导热氮化硅陶瓷基片材料的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811358422.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109400175B | 公开（公告）日 | 2019-03-01 |
| 申请公布号 | CN109400175B | 申请公布日 | 2019-03-01 |
| 分类号 | C04B35/584(2006.01)I | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 张景贤;段于森;刘宁;江东亮 | 申请（专利权）人 | 浙江多灵基片科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址 | 313023 浙江省湖州市吴兴区埭溪镇美妆小镇总部大楼4层408-1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种高导热氮化硅陶瓷基片材料的制备方法，包括：以氮化硅粉体或/和硅粉作为原料粉体，和烧结助剂混合后，得到混合粉体；将混合粉体和粘结剂混合后造粒，再经压制成型，得到素坯；将所得素坯经脱粘、烧结后，再切割成规定厚度，得到所述氮化硅陶瓷基片材料。 |
