一种通过碳掺杂提高常压烧结氮化硅陶瓷热导率的方法
基本信息
| 申请号 | CN201711001140.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109694253B | 公开（公告）日 | 2019-04-30 |
| 申请公布号 | CN109694253B | 申请公布日 | 2019-04-30 |
| 分类号 | C04B35/584(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 张景贤;段于森;李晓光 | 申请（专利权）人 | 浙江多灵基片科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址 | 313023 浙江省湖州市吴兴区埭溪镇美妆小镇总部大楼4层408-1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种通过碳掺杂提高常压烧结氮化硅陶瓷热导率的方法，包括：将氮化硅粉体、烧结助剂和碳源混合，得到混合粉体，所述碳源为酚醛树脂、壳聚糖、无水葡萄糖、麦芽糖、果糖和淀粉中的至少一种，所述烧结助剂是以TiO2为主烧结助剂，以Y2O3、Sc2O3、Sm2O3、Lu2O3、Er2O3、MgO、Mg2Si、MgSiN2中的至少一种为辅烧结助剂的混合物、MgTiO3、Mg2TiO4和MgTi2O5的至少一种；将所得混合粉体经成型、排胶，得到陶瓷坯体；将所得陶瓷坯体置于烧结炉中在1600～1800℃下常压烧结，得到致密氮化硅陶瓷。 |
