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一种高方阻金属化薄膜

基本信息

申请号	CN202022688902.2	申请日	-
公开（公告）号	CN213601763U	公开（公告）日	2021-07-02
申请公布号	CN213601763U	申请公布日	2021-07-02
分类号	H01G4/015（2006.01）I;H01G4/005（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	钟秀珍;陈有华;李根	申请（专利权）人	佛山易事达电容材料有限公司
代理机构	佛山卓就专利代理事务所（普通合伙）	代理人	陈雪梅
地址	528000广东省佛山市禅城区东鄱南路4号
法律状态	-

摘要

一种高方阻金属化薄膜，包括经等离子处理的基膜，其特征在于，所述基膜的上方设有金属薄膜，所述金属薄膜包括加厚区和普通区，所述加厚区和所述普通区连接，且所述加厚区和所述普通区设于所述基膜的上方，所述加厚区的方阻在2Ω/□到4Ω/□之间，所述普通区的方阻在100Ω/□到250Ω/□之间。本实用新型通过对基膜进行等离子处理，使得金属薄膜能够很好的附着于基膜的表面，不会轻易脱落，使得普通区的方租能够达到100Ω/□‑250Ω/□之间，提高金属薄膜的击穿电压，提高了电容器的储能密度，通过在金属薄膜的表面涂上一层等离子处理的保护油，确保金属薄膜不会直接与空气接触，避免了金属薄膜的氧化，增加了金属薄膜的使用寿命。