高功率射频半导体集成电阻和半导体芯片
基本信息
| 申请号 | CN202011461676.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112234142A | 公开（公告）日 | 2021-01-15 |
| 申请公布号 | CN112234142A | 申请公布日 | 2021-01-15 |
| 分类号 | H01L49/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王静波;潘俊;李海涛;徐健 | 申请（专利权）人 | 南京元络芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 常州市科谊专利代理事务所 | 代理人 | 南京元络芯科技有限公司 |
| 地址 | 210000江苏省南京市江北新区星火路17号研创园创智大厦B座601室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种高功率射频半导体集成电阻和半导体芯片，涉及半导体器件领域，设置在半导体芯片上，包括信号输入端、信号输出端、电阻层和等效电容结构，电阻层设置在信号输入端和信号输出端之间，等效电容结构与信号输入端相连接；等效电容结构用于分流，通过在高功率射频半导体集成电阻的信号输入端添加等效电容结构，降低输入端流过电阻的电流密度，并增加高功率射频半导体集成电阻射频信号承载能力以及过电流能力，保证半导体芯片的可靠性。 |
