一种高纯低氧钨硅合金靶材的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110295606.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113088899A | 公开（公告）日 | 2021-07-09 |
| 申请公布号 | CN113088899A | 申请公布日 | 2021-07-09 |
| 分类号 | C23C14/34（2006.01）I;B22F3/15（2006.01）I;B22F1/00（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 李利利;丁照崇;曲鹏;李勇军;曹晓萌;贾倩;滕海涛;张晓娜;杜文路 | 申请（专利权）人 | 有研亿金新材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈波 |
| 地址 | 102200北京市昌平区超前路33号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高纯低氧钨硅合金靶材及其制备方法，所述制备方法以高纯度的钨粉和高纯度的硅粉为原料，通过在填充惰性气体的手套箱内进行粉末配料、混粉罐装粉、混合后粉末装包套的方式进行，保证粉末全过程不暴露于大气环境，获得高纯低氧混合粉末，然后采用热等静压烧结成型，制备了微观组织均匀、相对密度≥99％、纯度≥5N、氧含量≤400ppm的钨硅靶材。本发明的方法不仅可以制备钨硅合金靶材，还可以制备其他如钽硅靶、铝钪靶等易氧化材料的靶材。 |
