功率半导体装置
基本信息
| 申请号 | CN202010657731.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113921602A | 公开（公告）日 | 2022-01-11 |
| 申请公布号 | CN113921602A | 申请公布日 | 2022-01-11 |
| 分类号 | H01L29/739（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/36（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L27/082（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王波;刘鹏飞;夏远平;顾孜轶 | 申请（专利权）人 | 华大半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗泳文 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区中科路1867号A座9层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种功率半导体装置，包括有源区、围绕有源区的终端区以及位于有源区及终端区之间的过渡区，有源区设置有第一半导体器件，过渡区设置有第二半导体器件，其中，第一半导体器件的源极及第三槽部内的导电层与发射极电连接，第一槽部内的导电层及第二槽部内的导电层与栅极电连接，第二半导体器件的源极、第三槽部内的导电层及第二槽部与第三槽部之间的阱区与发射极电连接，第一槽部内的导电层及第二槽部内的导电层与栅极电连接。本发明在器件导通时能够有效提高器件的开通速度及正面存储的空穴浓度，降低导通压降及导通损耗，在器件关断时能够快速释放空穴，降低关断损耗，提高器件的抗闩锁能力，提升器件可靠性。 |
