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平面可控硅器件芯片

基本信息

申请号 CN201320272681.8 申请日 -
公开（公告）号 CN203325910U 公开（公告）日 2013-12-04
申请公布号 CN203325910U 申请公布日 2013-12-04
分类号 H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/332(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘纪云;王仁书;祝方明;陈实 申请（专利权）人 扬州中芯晶来半导体制造有限公司
代理机构 扬州苏中专利事务所（普通合伙） 代理人 扬州中芯晶来半导体制造有限公司
地址 225009 江苏省扬州市经济开发区鸿大路29号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种平面可控硅器件芯片，属于芯片设计技术领域。平面可控硅器件芯片，平面可控硅器件芯片，包括硅衬底片，硅衬底片表面依次设置的掺氧多晶硅钝化层、下二氧化硅层、磷硅玻璃层、上二氧化硅层和门极区引线孔窗口、阴极区引线孔窗口，其特征是，在所述掺氧多晶硅钝化层与下二氧化硅层之间设有掺氮多晶硅层。所述的硅衬底片由N-单晶硅片上设有隔离扩散的P+区、阳极P区、门极P区及阴极N+区构成。通过本实用新型，芯片表面形成五层保护层：掺氧多晶硅钝化层、掺氮多晶硅层、下二氧化硅层、磷硅玻璃层、上二氧化硅层。采用本实用新型生产的平面可控硅器件芯片击穿电压、触发电流等参数稳定。