低阻欧姆接触的N型硅晶体管管芯
基本信息
| 申请号 | CN201220451222.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN202871795U | 公开（公告）日 | 2013-04-10 |
| 申请公布号 | CN202871795U | 申请公布日 | 2013-04-10 |
| 分类号 | H01L29/36(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐永平;蒋荣庆;黄仕锋 | 申请（专利权）人 | 扬州中芯晶来半导体制造有限公司 |
| 代理机构 | 扬州苏中专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 扬州中芯晶来半导体制造有限公司 |
| 地址 | 225009 江苏省扬州市经济开发区鸿大路29号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种低阻欧姆接触的N型硅晶体管管芯，属于晶体管管芯技术领域。主要特点是在硅片背面的中掺杂层与电极间设置磷离子构成的高掺杂层，本实用新型在硅片背面通过注入1×1015cm-2的磷离子，经退火后分布在0.2μm的深度内，就获得了5×1019cm-3的平均掺杂浓度，折合电阻率0.0015Ωcm，比原来降低了一个数量级，提高了材料表面的掺杂浓度，使之与金属化电极构成良好的欧姆接触，从而有利于提高产品质量。 |
