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台面保护门极-阴极PN结的可控硅芯片结构

基本信息

申请号 CN201320272788.2 申请日 -
公开（公告）号 CN203325911U 公开（公告）日 2013-12-04
申请公布号 CN203325911U 申请公布日 2013-12-04
分类号 H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 徐永平;何春海;王仁书;刘纪云 申请（专利权）人 扬州中芯晶来半导体制造有限公司
代理机构 扬州苏中专利事务所（普通合伙） 代理人 扬州中芯晶来半导体制造有限公司
地址 225009 江苏省扬州市经济开发区鸿大路29号
法律状态 -

摘要

摘要 台面保护门极-阴极PN结的可控硅芯片结构，属于可控硅芯片设计技术领域。包括硅衬底片，其特征是，所述硅衬底片上设有氧化层、玻璃钝化台面槽和门极引线孔、阴极引线孔，玻璃钝化台面槽内设有钝化玻璃层。所述硅衬底片为在N-单晶硅片上有完成隔离P+区、阳极P区和门极P区扩散以及阴极N+区。所述阴极N+区与门极P区间周边表面PN结设置在所述玻璃钝化台面槽内。本实用新型的效果是通过新的可控硅器件芯片结构设计，解决了芯片的IGT、VGT等参数的问题，提高了成品率以及后道封装的适应性和可靠性，增加了通态电流，降低了通态压降。同时采用这样的结构，可减小芯片面积，提高硅片的利用率，降低芯片生产成本。