平面可控硅器件芯片终端保护方法
基本信息
| 申请号 | CN201310184968.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103325667A | 公开（公告）日 | 2013-09-25 |
| 申请公布号 | CN103325667A | 申请公布日 | 2013-09-25 |
| 分类号 | H01L21/223(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王仁书;刘纪云;卞家奇;祝方明 | 申请（专利权）人 | 扬州中芯晶来半导体制造有限公司 |
| 代理机构 | 扬州苏中专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 许必元 |
| 地址 | 225009 江苏省扬州市经济开发区鸿大路29号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明专利涉及一种平面可控硅器件芯片终端保护方法，属于电力电子器件芯片工艺技术领域。包括以下操作步骤：步骤一、在N-单晶硅片上依次进行隔离P+区、阳极P区、门极P区和阴极N+区扩散形成硅衬底片，并在硅衬底片表面形成一定厚度的氧化层；步骤二、将步骤一制得的表面有氧化层的硅衬底片在室温下用氢氟酸腐蚀溶液去除表面氧化层，制得硅衬底；步骤三、硅衬底表面依次生长掺氧多晶硅层、掺氮多晶硅层；步骤四、掺氮多晶硅层上依次生长下二氧化硅层、磷硅玻璃层、上二氧化硅层；步骤五、将完成步骤四后的硅衬底退火；步骤六、在硅衬底表面刻出门极区引线孔窗口及阴极区引线孔窗口。本发明方法简单，操作容易。 |
