阵列基板的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201811366363.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109300841A | 公开（公告）日 | 2019-02-01 |
| 申请公布号 | CN109300841A | 申请公布日 | 2019-02-01 |
| 分类号 | H01L21/77;H01L27/12 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈盈惠;杨桂冬;储周硕;日比野吉高;孙学军 | 申请（专利权）人 | 中国银行股份有限公司双流分行 |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 |
| 地址 | 610200 四川省成都市双流区公兴街道青栏路1778号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：在玻璃基板上依次沉积金属层和氧化铟锡ITO层，并进行第一次光刻，以形成包括栅极和存储电容电极的第一层结构；在第一层结构上依次沉积栅极绝缘层、铟镓锌氧化物IGZO半导体层和源漏极金属层，并进行第二次光刻，以形成包括硅岛图形、源极和漏极的第二层结构；在第二层结构上依次形成钝化层和平坦化层，在形成钝化层的过程中使IGZO半导体层形成导体化IGZO，并进行第三次光刻以形成导电过孔；在平坦化层上沉积透明导电薄膜，并进行第四次光刻以形成像素电极，并连通像素电极和导电过孔。本发明提供一种阵列基板的制造方法，仅需四道光罩制程顺序即可实现具有高透过率像素的阵列基板的制作。 |
