一种绝缘型热沉的半导体激光器

基本信息

申请号 CN201922321567.X 申请日 -
公开(公告)号 CN211480501U 公开(公告)日 2020-09-11
申请公布号 CN211480501U 申请公布日 2020-09-11
分类号 H01S5/024(2006.01)I;H01S5/40(2006.01)I 分类 -
发明人 赵森;段磊 申请(专利权)人 深圳活力激光技术有限公司
代理机构 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 代理人 深圳活力激光技术有限公司
地址 518103广东省深圳市宝安区福海街道新和社区福园一路35号天瑞工业园A2栋301
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种绝缘型热沉的半导体激光器,属于半导体激光器技术领域,包括热沉,热沉包含有上下对称散热的微通道,所述热沉上下分别对称设置有第一绝缘层和第二绝缘层,第一绝缘层上表面设置有第一导电层,第一导电层前端设置有第一芯片,第一芯片后端设置有第一绝缘片,在第一芯片和第一绝缘片上设置有第一导电片;第二绝缘层下端设置有第二导电层,第二导电层前端设置有第二芯片,第二芯片后端设置有第二绝缘片。采用在热沉的上下两端对称双芯片的结构,大幅度提高半导体激光器的输出功率,将双芯片产生的热量快速带走,降低产品工作时整体的热量,从而保证产品的可靠性,而且双芯片的封装结构可以大幅度的降低生产成本。