一种以溅射ZnO为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池
基本信息
| 申请号 | CN201420631749.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN204167368U | 公开（公告）日 | 2015-02-18 |
| 申请公布号 | CN204167368U | 申请公布日 | 2015-02-18 |
| 分类号 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梁禄生;陈伟中;王保增;蔡龙华;陈凯武;蔡耀斌;白华;田清勇;范斌 | 申请（专利权）人 | 昆山惟华光能有限公司 |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 马应森 |
| 地址 | 361102 福建省厦门市翔安区火炬高新区台湾科技企业育成中心W403 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种以溅射ZnO为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池，涉及太阳能电池。从下至上依次设有铟锡氧化物玻璃衬底、ZnO电子传输层、CH3NH3PbI3层、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴空穴传输层和金属背电极层；金属背电极层为Au背电极层或Ag背电极层。铟锡氧化物玻璃衬底的厚度可为100～150nm。所述ZnO电子传输层的厚度可为20～120nm。CH3NH3PbI3层的厚度可为20～120nm。2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴空穴传输层的厚度可为40～60nm。金属背电极层的厚度可为60～150nm。 |
