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画素结构及其制作方法

基本信息

申请号 CN201210470170.7 申请日 -
公开（公告）号 CN103137619B 公开（公告）日 2016-03-30
申请公布号 CN103137619B 申请公布日 2016-03-30
分类号 H01L27/02(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 韩家荣;欧李启维;陈柏玮;许宇禅;黄隽尧 申请（专利权）人 华映光电股份有限公司
代理机构 福州君诚知识产权代理有限公司 代理人 华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司
地址 350000 福建省福州市马尾区科技园区兴业路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种画素结构，其包括一闸极、一电容电极、一电容透明电极、一闸绝缘层、一半导体层、一源极、一汲极、一保护层以及一画素电极。闸极与电容电极配置于一基板上。电容透明电极覆盖电容电极与部分基板。闸绝缘层覆盖闸极与电容透明电极。闸绝缘层具有一暴露出部分电容透明电极的开口。源极与汲极暴露出部分半导体层。保护层覆盖源极、汲极、闸绝缘层以及开口所暴露出的电容透明电极。保护层具有一暴露出部分汲极的接触窗，且画素电极穿过接触窗与汲极电性连接。画素电极与开口所暴露出的电容透明电极之间具有一重迭区域以构成一储存电容。