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直拉单晶用加热器及直拉单晶方法

基本信息

申请号	CN201510729021.1	申请日	-
公开（公告）号	CN106637387A	公开（公告）日	2017-05-10
申请公布号	CN106637387A	申请公布日	2017-05-10
分类号	C30B15/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	吴丹	申请（专利权）人	西安通鑫半导体辅料有限公司
代理机构	西安弘理专利事务所	代理人	罗笛
地址	710300 陕西省西安市户县沣京工业园潭滨北路3号
法律状态	-

摘要

本发明公开的直拉单晶用加热器，具有相对的第一端部和第二端部，加热器主体具有多个第一狭槽以及第二狭槽，第一狭槽与多个第二狭槽交替设置，相邻的两个第一狭槽之间形成发热单元，发热单元包括加热段，至少一个加热段具有开口。本发明公开的直拉单晶方法，包括：装料；化料以形成熔体；调节直晶功率，控制熔体的纵向温度梯度，将籽晶插入熔体表面进行熔接，并依次引晶、放肩、转肩、等径生长及收尾后即得单晶硅。本发明的直拉单晶用加热器在发热单元的加热段上具有开口结构，可根据产品品质需求进行相应调整，本发明的直拉单晶方法拉制单晶硅，能形成适应高拉速、低杂质含量、低缺陷等各种需求的、优化的温度梯度，从而最终获得高品质的单晶硅。