首页/ 西安通鑫半导体辅料有限公司/ 专利详情

提高拉晶速度的直拉单晶用加热器及直拉单晶方法

基本信息

申请号 CN201510727379.0 申请日 -
公开（公告）号 CN106637386A 公开（公告）日 2017-05-10
申请公布号 CN106637386A 申请公布日 2017-05-10
分类号 C30B15/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 吴丹 申请（专利权）人 西安通鑫半导体辅料有限公司
代理机构 西安弘理专利事务所 代理人 罗笛
地址 710100 陕西省西安市长安区航天中路388号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明的提高拉晶速度的直拉单晶用加热器，包括连接板和加热环，连接板沿加热器主体轴向设置，多个加热环沿加热器主体的轴线方向依次设置，加热环连接于连接板之间。本发明的直拉单晶方法，包括：装料；利用前述提高拉晶速度的直拉单晶用加热器化料形成熔体；调节加热器功率，控制熔体纵向温度梯度，熔接，并依次进行引晶、放肩、转肩、等径生长及收尾后即得单晶硅。本发明的提高拉晶速度的直拉单晶用加热器具有沿加热器轴向间隔设置的加热环，可调节加热区纵向温度梯度趋向均匀。本发明的直拉单晶方法使用前述加热器可以改善熔体对流，加热环的长度与截面可调整，利用加热环发热量的不同，可以适应在不同热场中减小熔体的纵向温度梯度。