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便于调节温度梯度的直拉单晶用加热器及直拉单晶方法

基本信息

申请号 CN201510727377.1 申请日 -
公开（公告）号 CN106637385A 公开（公告）日 2017-05-10
申请公布号 CN106637385A 申请公布日 2017-05-10
分类号 C30B15/14(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 吴丹 申请（专利权）人 西安通鑫半导体辅料有限公司
代理机构 西安弘理专利事务所 代理人 罗笛
地址 710300 陕西省西安市户县沣京工业园潭滨北路3号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明的便于调节温度梯度的直拉单晶用加热器，加热器主体具有相对的第一端部和第二端部，沿第一端部向第二端部延伸设置第一狭槽以及沿第二端部向第一端部延伸设置第二狭槽，第一狭槽和第二狭槽交替设置，第二狭槽中部分或全部为调节发热分布的调节槽。本发明的直拉单晶方法，包括步骤：装料；利用前述加热器化料形成熔体；调节加热器的功率，控制熔体的纵向温度梯度，将籽晶插入熔体表面进行熔接，并依次进行引晶、放肩、转肩、等径生长以及收尾后即得单晶硅。本发明的便于调节温度梯度的直拉单晶用加热器及直拉单晶方法利用调节槽调节加热功率，可以获得不同的温度分布，能形成适应高拉速、低杂质含量、低缺陷等各种需求的、优化的温度梯度。