半导体激光器
基本信息
| 申请号 | CN201821651552.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208874056U | 公开（公告）日 | 2019-05-17 |
| 申请公布号 | CN208874056U | 申请公布日 | 2019-05-17 |
| 分类号 | H01S5/323（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 董海亮; 米洪龙; 许并社; 梁建; 贾志刚; 关永莉; 王琳; 张乔 | 申请（专利权）人 | 山西飞虹激光科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 041609 山西省临汾市洪洞县甘亭镇飞虹工业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种半导体激光器，包括由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs限制层及波导层、有源区层、P‑AlGaAs波导层及限制层、P‑GaAs顶层和P型高掺杂电极接触层的外延片；多个沟道；设于P‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于P型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的P电极层和GaAs衬底背面的N电极层；C‑N共注入钝化层蒸镀于外延片及P、N电极层两侧，其通过先后用氮等离子体和碳等离子体轰击并注入外延片及P、N电极层左右两侧而成；SiO2薄膜蒸镀于C‑N共注入钝化层的外侧，在其两侧分别制备有高反膜和增透膜。本实用新型提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和可靠性。 |
