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半导体激光巴条

基本信息

申请号	CN201820680930.X	申请日	-
公开（公告）号	CN208272358U	公开（公告）日	2018-12-21
申请公布号	CN208272358U	申请公布日	2018-12-21
分类号	H01S5/34;H01S5/22	分类	基本电气元件;
发明人	张乔;关永莉;米洪龙;梁建;王琳	申请（专利权）人	山西飞虹激光科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	041603 山西省临汾市洪洞县甘亭镇工业园区山西飞虹激光科技有限公司
法律状态	-

摘要

本实用新型提供一种半导体激光巴条，属于半导体激光器领域。包括：由下至上包括GaAs衬底、N‑GaAs缓冲层、N‑GaAs限制层、N‑GaAs波导层、量子阱、P‑GaAs波导层、P‑GaAs限制层和P‑GaAs欧姆接触层的GaAs外延片；P‑GaAs欧姆接触层上刻蚀形成的脊型电流注入区和非电流注入窗口；GaAs外延片上刻蚀形成的光隔离区；在P‑GaAs欧姆接触层、未被P‑GaAs欧姆接触层覆盖的部分P‑GaAs限制层及光隔离区上方形成的电流限制层，电流限制层刻蚀掉一部分露出脊型电流注入区；电流限制层和脊型电流注入区上方的P面金属电极层，P面金属电极层的两端设有电隔离区；GaAs衬底远离N‑GaAs缓冲层的一面形成的N面金属电极层。本实用新型提高了巴条的输出效率、降低了阈值电流、提高了封装稳定性、产品良率和稳定性，延长了寿命。