半导体激光器腔面的钝化方法及半导体激光器专利查询专利号|摘要-满商公司网

半导体激光器腔面的钝化方法及半导体激光器

基本信息

申请号	CN201811170679.3	申请日	-
公开（公告）号	CN109066287B	公开（公告）日	2020-08-07
申请公布号	CN109066287B	申请公布日	2020-08-07
分类号	H01S5/028;H01S5/10	分类	-
发明人	董海亮;米洪龙;许并社;梁建;贾志刚;关永莉;王琳;张乔	申请（专利权）人	山西飞虹激光科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	041609 山西省临汾市洪洞县甘亭镇飞虹工业园
法律状态	-

摘要

本发明提供一种半导体激光器腔面的钝化方法及半导体激光器，属于半导体激光器领域。通过氮等离子体轰击并注入半导体激光器的前腔面和后腔面，能使腔面的悬挂键与N原子充分键合，不仅能够起到钝化效果，且因为N原子的键能大，因而形成的Ga‑N键更稳定；通过使用碳等离子体轰击并注入前腔面和后腔面，使得C原子与腔面因氮离子轰击产生的新的断裂键充分结合，补偿了表面损伤的腔面，达到了保证解理腔面的悬挂键的饱和与稳定的效果。因此，本发明不仅简化了腔面钝化的工艺步骤，减少了工艺流程时间，降低了生产成本，且提高了半导体激光器的抗光学灾变水平和在高光功率密度条件下的稳定输出的可靠性，实现了半导体激光器的高功率、长寿命的目的。