一种半导体二极管芯片封装结构的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201910073332.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110165035B | 公开（公告）日 | 2020-07-24 |
| 申请公布号 | CN110165035B | 申请公布日 | 2020-07-24 |
| 分类号 | H01L33/48;H01L33/52;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/60 | 分类 | - |
| 发明人 | 张娟 | 申请（专利权）人 | 北京新建房地产开发有限公司 |
| 代理机构 | 北京华识知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京敬一科技有限公司;浙江实利合新材料科技有限公司 |
| 地址 | 311800 浙江省绍兴市诸暨市次坞镇红旗村471号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体二极管芯片封装结构的制作方法，包括如下步骤：将金属热沉焊接在封装支架，并固定芯片点位；安装芯片的封装支架送入回流炉进行回流焊接；用进行芯片正负极和封装支架上金属管脚连接，将金属管脚焊接在封装支架上；进行芯片表面的半球硅胶的点胶，并安装反光杯和负透镜的整体连接结构。进一步提供了新型的半导体二极管芯片封装形式，避免传统封装中的诸多问题同时提高了芯片的出光量。 |
