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高效发光二极管

基本信息

申请号 CN201520456605.1 申请日 -
公开（公告）号 CN204696143U 公开（公告）日 2015-10-07
申请公布号 CN204696143U 申请公布日 2015-10-07
分类号 H01L33/14(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 易汉平;王立彬 申请（专利权）人 广西清科紫荆科技开发有限公司
代理机构 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 代理人 李莉华
地址 300000 天津市宝坻区节能环保工业区天宝南环路8号401室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型所述高效发光二极管，其包括衬底，外延生长于衬底上的氮化镓层，采用电子束蒸发蒸镀于氮化镓层表面的透明导电薄膜，所述透明导电薄膜上自透明导电薄膜上端面向下端面方向刻蚀有限流孔；限流孔贯通透明导电薄膜上、下端面；限流孔的横截面为圆形、弧形或者矩形中的任一种；透明导电薄膜上的限流孔至少有一个。本高效发光二极管，在现有氮化镓(GaN)基发光二极管的结构基础上，通过在透明导电薄膜上增加限流孔，对透明导电薄膜相应区域进行减薄或刻蚀透处理，来限制透明导电薄膜上横向电流的过度扩展，使通过多量子阱发光层的电流密度均匀，从而提高内量子效率，提高发光二极管的发光效率。