一种太阳能电池片及其制作方法

基本信息

申请号 CN201910802827.7 申请日 -
公开(公告)号 CN110444637B 公开(公告)日 2021-09-28
申请公布号 CN110444637B 申请公布日 2021-09-28
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/068(2012.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 马玉超;曾鑫林;单伟;何胜;徐伟智 申请(专利权)人 盐城正泰新能源科技有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 田媛媛
地址 224100 江苏省盐城市大丰区沪苏大丰产业联动集聚区通汇路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了太阳能电池片的制作方法,包括:在第一温度和预设压强下,在表面具有损伤层的硅片的表面形成二氧化硅层,得到处理后硅片;将处理后硅片在第二温度下恒温预设时间,并进行冷却处理,得到冷却后硅片;去除位于冷却后硅片的表面的二氧化硅层和损伤层,得到硅片基体;在硅片基体的上表面形成扩散层;在扩散层的上表面形成隧穿层;在硅片基体的下表面形成钝化层;在钝化层的下表面形成氮化硅层;在隧穿层的上表面形成减反层;分别在减反层的上表面、氮化硅层的下表面形成电极。本申请中的方法使硅片基体中杂质含量明显减少,提高少子寿命,从而提高太阳能电池的光电转换效率。本申请还提供一种具有上述优点的太阳能电池。