一种微米级片层状Si/SiO2复合材料、制备方法及其应用
基本信息
| 申请号 | CN202111447558.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114142016A | 公开（公告）日 | 2022-03-04 |
| 申请公布号 | CN114142016A | 申请公布日 | 2022-03-04 |
| 分类号 | H01M4/38（2006.01）I;H01M4/36（2006.01）I;H01M10/0525（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭守武;高生辉;张利锋;阮欢;高春云;王亚军;高峰;郝巧娥;王凤 | 申请（专利权）人 | 陕西榆能集团能源化工研究院有限公司 |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 崔方方 |
| 地址 | 719000陕西省榆林市高新技术产业园区榆溪大道南明珠大道东侧榆能大厦1716 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种微米级片层状Si/SiO2复合材料、制备方法及其应用，属于微纳米材料合成领域。本发明所使用的含硅物质为廉价易得的工业级硅源，将其按比例与氯化钠和镁粉混合，加入适量无水乙醇后研磨，真空干燥后得到前驱体。前驱体在500～700℃下煅烧后进行酸处理，洗涤、干燥后得到微米级片层状Si/SiO2复合材料。本发明原料价格低廉，工艺设备简单，整体能耗较低，适合工业化生产。本发明的制备方法，通过改变反应参数可以对Si/SiO2复合材料的组分比例进行调控，制备出的Si/SiO2复合材料形貌特征鲜明，呈微米级片层状。作为电池负极材料，具有较好的电化学性能。 |
