增强型氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010493733.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111640672A | 公开（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申请公布号 | CN111640672A | 申请公布日 | 2020-09-08 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 闫发旺;王庆宇;赵倍吉 | 申请（专利权）人 | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 地址 | 201821上海市嘉定区普惠路200号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种增强型氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述增强型氮化镓基高电子迁移率晶体管的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底上表面设置有堆叠结构，所述堆叠结构包括沟道层和势垒层；在所述堆叠结构的上表面形成源极、漏极和二维电子气消耗装置，所述二维电子气消耗装置用于为二维电子气提供空穴，以消耗所述二维电子气；在所述二维电子气消耗装置上表面形成所述栅极。 |
