氮化镓基反相器芯片及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201710122934.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106910770B | 公开（公告）日 | 2020-05-15 |
| 申请公布号 | CN106910770B | 申请公布日 | 2020-05-15 |
| 分类号 | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/47;H01L29/20;H01L21/335 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘春雪;闫发旺;张峰;赵倍吉;李晨 | 申请（专利权）人 | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 地址 | 201821 上海市嘉定区普惠路200号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种氮化镓基反相器芯片及其形成方法，所述氮化镓基反相器芯片包括：衬底；位于所述衬底上的氮化镓沟道层；位于所述氮化镓沟道层上的势垒层；位于部分势垒层表面的P型III族金属氮化物层；位于所述P型III族金属氮化物层表面的第一电极；位于所述势垒层表面第二电极、第三电极和第四电极。所述氮化镓基反相器芯片具有良好的传输性和强的带负载能力。 |
