氢离子注入剂量检测方法以及氢离子注入剂量检测系统
基本信息
| 申请号 | CN202010384551.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111668128A | 公开（公告）日 | 2020-09-15 |
| 申请公布号 | CN111668128A | 申请公布日 | 2020-09-15 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周平华;李飞 | 申请（专利权）人 | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 地址 | 201821上海市嘉定区普惠路200号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种氢离子注入剂量检测方法以及氢离子注入剂量检测系统，能够实现对氢离子注入剂量变化的检测，从而提高薄膜转移的质量，提高半导体器件的制备良率。其中，所述氢离子注入剂量检测方法包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底内注入有氢离子，形成有氢离子注入层；检测所述氢离子注入层的厚度变化，并在所述氢离子注入层的厚度发生的变化超过预设值时判定所述氢离子的注入剂量发生变化。 |
