氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010493731.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111640671A | 公开（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申请公布号 | CN111640671A | 申请公布日 | 2020-09-08 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 闫发旺;王庆宇;赵倍吉 | 申请（专利权）人 | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 地址 | 201821上海市嘉定区普惠路200号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法，其中所述制备方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底表面设置有堆叠结构，所述堆叠结构包括沟道层和势垒层；在所述堆叠结构的上表面形成导流装置，所述导流装置用于扩展所述氮化镓基高电子迁移率场效应管的沟道电场区域；在所述堆叠结构的上表面形成所述栅极、源极和漏极，且所述栅极的侧壁与所述导流装置接触。 |
