深沟槽功率器件和电子设备
基本信息
| 申请号 | CN201822210492.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209461469U | 公开（公告）日 | 2019-10-01 |
| 申请公布号 | CN209461469U | 申请公布日 | 2019-10-01 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨东林;陈文高;刘侠 | 申请（专利权）人 | 上海昱率科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京中知法苑知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李明 |
| 地址 | 201306 上海市浦东新区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开涉及一种深沟槽功率器件，其中，所述功率器件被划分为元胞区和终端区，所述功率器件包括：衬底，衬底下方设置有漏极金属，衬底上设置有外延层，在所述外延层上设置有体区，所述体区中设置元胞区沟槽和终端区沟槽，所述元胞区沟槽和终端区沟槽从体区的表面向下延伸到外延层内。所述沟槽内填充有与源极相连的第一导电多晶硅和与栅极相连的第二导电多晶硅。在第一导电多晶硅和第二导电多晶硅之间设置有第二绝缘介质体。 |
