一种基于超表面的5G毫米波多尔蒂功率放大器
基本信息
| 申请号 | CN202110304219.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112953402A | 公开（公告）日 | 2021-06-11 |
| 申请公布号 | CN112953402A | 申请公布日 | 2021-06-11 |
| 分类号 | H03F1/07 | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 赵世巍;张野;姜小明 | 申请（专利权）人 | 重庆嘉旦微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京同恒源知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵荣之 |
| 地址 | 400030 重庆市沙坪坝区高新区西永街道学城大道62-1研发楼B1栋8楼B1-804 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种基于超表面的5G毫米波多尔蒂功率放大器，属于微波电路设计领域。该功率放大器包括功率分配器、主功放模块、辅功放模块、90度相移线和相移模块；其中，相移模块由馈源天线和超表面电磁聚焦透镜阵列构成；主功放模块与辅功放模块的输入端通过功率分配器与功率放大器的总输入端连接；主功放模块输出端通过相移模块补偿后与辅助功放模块输出端合成后成为总输出。本发明利用调整超表面电磁聚焦透镜的单元结构在较宽频带内实现90度相移，实现负载阻抗调制，该发明加工简单，结构紧凑，易于加工集成。 |
