一种零等待周期SRAM的控制方法及装置
基本信息
| 申请号 | CN202110450783.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113190174A | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN113190174A | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | G06F3/06（2006.01）I;G06F15/78（2006.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 王锐;陆思茗;李建军;王亚波;莫军 | 申请（专利权）人 | 广芯微电子（广州）股份有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郭浩辉;颜希文 |
| 地址 | 510000广东省广州市黄埔区（中新广州知识城）亿创街1号406房之227 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种零等待周期SRAM的控制方法及装置，在基本的读、写、空闲状态以外，增加了三个状态，在保留与现有技术相同的指令执行效果的前提下，通过对SRAM控制器进行先读后写和对写操作进行锁存的控制，避免了在写后读操作需多等待至少一个周期的问题。从而通过实施本发明能够大大提高指令的执行效率，有效提升SOC系统运行程序的能力。 |
