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一种非破坏性的半导体材料SEM监控方法

基本信息

申请号	CN201911293296.X	申请日	-
公开（公告）号	CN111142329A	公开（公告）日	2020-05-12
申请公布号	CN111142329A	申请公布日	2020-05-12
分类号	G03F7/00;H01L21/66	分类	摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕;
发明人	席庆男;王晓慧;许南发;李志	申请（专利权）人	元旭半导体科技（天津）有限公司
代理机构	济南诚智商标专利事务所有限公司	代理人	杨筠
地址	230000 安徽省合肥市经济技术开发区天门路以西,锦绣大道以南天门湖工业园1幢厂房2层
法律状态	-

摘要

本发明属于半导体材料制备技术领域，提供了一种非破坏性的半导体材料SEM监控方法，该方法包括如下步骤：提供一样品，在样品上铺设软膜；对软膜加热，使其固化，得到转印模并将其从样品上取下；提供一硬质底板，在硬质底板上涂覆紫外压印胶，并利用物理压印方式将转印模上的图形压印到紫外压印胶层上；固化紫外压印胶层，取下转印模，得到监控样品；将监控样品进行破片检测。本发明通过转印方式，能够将测试样品的形貌转到涂覆有紫外压印胶的硬质底板上，转印精度高，从而在不破坏样品的情况下得到样品的形貌特征，相较传统的直接对样品破片进行检测的监控方式，该方法既保证了不破坏样品，又使得监控成本大大降低，且图形尺寸可以做到纳米级别。