一种LED外延结构及其制作方法、悬挂式芯片结构及其制作方法

基本信息

申请号 CN201910885321.7 申请日 -
公开(公告)号 CN110660887A 公开(公告)日 2020-01-07
申请公布号 CN110660887A 申请公布日 2020-01-07
分类号 H01L33/00(2010.01); H01L33/20(2010.01) 分类 基本电气元件;
发明人 席庆男; 许南发; 王晓慧; 李志 申请(专利权)人 元旭半导体科技(天津)有限公司
代理机构 济南诚智商标专利事务所有限公司 代理人 杨筠
地址 230000 安徽省合肥市经济技术开发区天门路以西,锦绣大道以南天门湖工业园1幢厂房2层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于LED芯片技术领域,提供了一种LED外延结构及其制作方法、悬挂式芯片结构及其制作方法,LED外延结构的制作方法包括:提供一衬底,在所述衬底上生长一N型的第一GaN外延层;在所述第一GaN外延层上作出沟槽,形成具有槽面和梁面的外延结构层;在所述槽面上沉积一层覆盖所述槽面的二氧化硅层或氮化硅层;在所述第一GaN外延层的上方生长一与所述梁面相接的第二GaN外延层;在所述第二GaN外延层的上方依次生长量子阱层和P型GaN层。本发明能够获得悬挂于衬底之上的LED芯片结构,进而实现散热性好、光电性能稳定好、寿命长的微小型薄膜芯片的生产,同时能够有效减少芯片加工工艺流程,提高LED芯片的生产效率,降低生产成本。