一种图形化蓝宝石衬底的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911067761.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110854012A | 公开（公告）日 | 2020-02-28 |
| 申请公布号 | CN110854012A | 申请公布日 | 2020-02-28 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/306 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许南发;李志;席庆男;王晓慧 | 申请（专利权）人 | 元旭半导体科技（天津）有限公司 |
| 代理机构 | 济南诚智商标专利事务所有限公司 | 代理人 | 杨筠 |
| 地址 | 230000 安徽省合肥市经济技术开发区天门路以西,锦绣大道以南天门湖工业园1幢厂房2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及蓝宝石衬底制备技术领域，提供一种图形化蓝宝石衬底的制备方法，方法包括：在选取的蓝宝石平片上形成SiO2掩膜层，其中，所述SiO2掩膜层的结构与预先设计的掩膜图形相匹配；利用浓H2SO4与浓H3PO4的混合溶液在高温下会对蓝宝石进行晶向腐蚀，形成蓝宝石图形层；对形成的所述蓝宝石图形层进行ICP刻蚀，形成蓝宝石衬底，实现有效利用湿法和干法刻蚀蓝宝石的优点，而且通过湿法和干法刻蚀的有效结合，提升外延的生长质量和芯片发光亮度。 |
