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绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

基本信息

申请号	CN201610559805.9	申请日	-
公开（公告）号	CN106024874A	公开（公告）日	2016-10-12
申请公布号	CN106024874A	申请公布日	2016-10-12
分类号	H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	胡舜涛;张杰;肖彩华	申请（专利权）人	上海源翌吉电子科技有限公司
代理机构	北京金信知识产权代理有限公司	代理人	刘锋;田菁
地址	200122 上海市浦东新区蔡伦路1690号2幢501室
法律状态	-

摘要

绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明提供了一种IGBT及其制造方法，该IGBT包括：具有第一导电类型的衬底；具有第二导电类的基区，其形成于衬底的上表面；具有第一导电类型的发射区，其掺杂浓度大于衬底的掺杂浓度，形成于基区的上表面；发射极，形成于发射区的上表面；沟槽，其从衬底的上表面垂直延伸到衬底的中部，并与基区间隔设置，沟槽由多晶硅填充形成栅电极，多晶硅始于沟槽的底部并止于基区的上表面，多晶硅与衬底之间、以及多晶硅与基区之间形成有栅极氧化层；绝缘层，形成于栅电极的上表面；集电极区，形成于衬底的下表面；集电极，形成于集电极区的下表面。本发明可提高电流驱动能力，减小栅极沟道长度，把碳化硅?氧化层界面态对沟道电子迁移率的变小的影响减至最小。