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沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

基本信息

申请号 CN201610124586.1 申请日 -
公开（公告）号 CN105789269A 公开（公告）日 2016-07-20
申请公布号 CN105789269A 申请公布日 2016-07-20
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张杰;肖彩华 申请（专利权）人 上海源翌吉电子科技有限公司
代理机构 上海金盛协力知识产权代理有限公司 代理人 王松
地址 201205 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号2幢501室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明揭示了一种沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，所述沟槽绝缘栅双极型晶体管IGBT包括：N?型基区、P型基区、N+缓冲层、背P+发射区、N+集电区、栅氧化层、多晶栅、集电极、发射极、栅电极、P+型基区、载流子存储层、P?型浮空层；所述N?型基区、N+缓冲层、背P+发射区、集电极自上而下依次设置；所述N?型基区的上部周边设有槽体，槽体内设置P?型浮空层。本发明提出的沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，在传统的沟槽IGBT结构中引入载流子存储层存储层可以增大电子扩散，避免电流集中，增强电导调制；同时在沟槽栅的下端又附加了一层P?型浮空层，可以起到分压的作用，提到器件的耐压。