一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN200410097276.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN100536178C | 公开（公告）日 | 2009-09-02 |
| 申请公布号 | CN100536178C | 申请公布日 | 2009-09-02 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 肖志国;王省莲;马欣荣;陈向东 | 申请（专利权）人 | 锦州银行股份有限公司大连分行 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 116025辽宁省大连市高新园区七贤岭高能街1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了制作一种小体积高亮度，具有特殊表面几何图形的氮化镓发光二极管芯片的制造方法，这种小芯片面积为0.15×0.15mm2～0.3×0.3mm2；厚度50±10μm～80±10μm；P电极为圆形，直径φ为60mm～110mm；N电极为水滴状几何图形，直径φ为60mm～110mm。通过(一)外延生长、(二)蒸发透明电极、(三)刻蚀台阶、(四)钝化、(五)P、N电极制作、(六)退火、(七)参数测试、(八)研磨、切割、(九)测试分类九大工艺步骤制作一种的小芯片。本发明制作的芯片具有体积小，亮度高，生产效率高，低成本，应用范围宽等优点。 |
