一种芯片启动方法和一种FLASH芯片
基本信息
| 申请号 | CN201710420897.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109003634B | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN109003634B | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | G11C5/14;G11C16/30 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 胡俊;刘铭 | 申请（专利权）人 | 合肥格易集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 | 代理人 | 莎日娜 |
| 地址 | 230601 安徽省合肥市经济技术开发区明珠广场1幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例提供了一种芯片启动方法和一种FLASH芯片，该方法包括：当电源电压输入时，通过与电源电压对应的快速基准电路输出初始参考电压，以及通过带隙基准电路输出基准电压；其中，快速基准电路输出初始参考电压所用的时间小于带隙基准电路输出基准电压所用的时间；将初始参考电压输入缓冲器，以启动缓冲器，并通过缓冲器按序启动至少一个电荷泵和存储阵列；当带隙基准电路输出基准电压后，将输入给缓冲器的初始参考电压切换为基准电压。本申请实施例在FLASH芯片中新增快速基准电路，通过该电路输出的初始参考电压启动缓冲器、电荷泵和存储阵列，从而启动FLASH芯片，大大缩短了芯片的启动时间，提高了芯片读写数据的效率。 |
