一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法
基本信息
| 申请号 | CN201810473957.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108682655B | 公开（公告）日 | 2020-01-17 |
| 申请公布号 | CN108682655B | 申请公布日 | 2020-01-17 |
| 分类号 | H01L23/02;H01L23/08;H01L25/11 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张浩 | 申请（专利权）人 | 江苏芯澄半导体有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 任立 |
| 地址 | 212200 江苏省镇江市扬中市三茅街道春柳北路888号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法，涉及碳化硅功率模块封装技术领域。该一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法，包括，S1：将环氧树脂材料调制好后，放入模具中定型，脱模后得到壳体；S2：在碳化硅功率器件的外壳上开孔，在孔内放置弹性件；S3：将碳化硅功率器件按照隔离衬板上预留的安装位置逐一对位安装；S4：将上壳体和下壳体向隔离衬板靠拢，壳体扣合后将螺栓拧紧在螺柱上完成封装，弹性件在封装后处于压缩状态。本方案通过预制壳体对碳化硅功率器件进行定位，使外力传递到碳化硅功率器件之前得到一个缓冲，从而更好的保护封装体内的碳化硅功率器件。 |
